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International Rectifier (Infineon Technologies): Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist.
Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller u......Details

IRG4PH20K International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
IRG4BC20FD-SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 600V 16A 60W D2PAK
IKU15N60RBKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 600V 30A 250W TO251-3
AUIRG4BC30USTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 600V 23A 100W D2PAK

IXYS Corporation: - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs.
......Details

IXGH38N60 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 600V 76A 200W TO247AD
IXGX100N160A IXYS Corporation Beschreibung:IGBT TO247
IXGT30N60C2 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 600V 70A 190W TO268
IXGH24N60AU1 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 600V 48A 150W TO247AD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die K......Details

FGPF50N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 300V 46.8W TO220F
SGH10N60RUFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 600V 16A 75W TO3P
NGTB30N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 1200V 60A 452W TO247
FGY120T65SPD-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 650V 240A 882W TO-247

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines der gr......Details

RJH60F3DPK-00#T0 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
RJH60D3DPP-M0#T2 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 35A 30W TO220FL
RJH60V2BDPP-M0#T2 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 25A 34W TO-220FL

STMicroelectronics: - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und strategisc......Details

STGB35N35LZT4 STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 345V 40A 176W D2PAK
STGW30H60DFB STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 60A 260W TO247
STGB18N40LZT4 STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 420V 30A 150W D2PAK
STGF20H60DF STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 40A 37W TO220FP

Microsemi: - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, SoCs und......Details

APT75GN120LG Microsemi Beschreibung:IGBT 1200V 200A 833W TO264
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Beschreibung:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
APT30GT60BRDQ2G Microsemi Beschreibung:IGBT 600V 64A 250W TO247

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: IXGH24N60AU1; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT 600V 48A 150W TO247AD; vorrätig: 5809 pcs; Herunterladen: IXGH24N60AU1.pdf; RFQ

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: IHW30N120R2; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3; vorrätig: 4364 pcs; Herunterladen: IHW30N120R2.pdf; RFQ

: APT33GF120B2RDQ2G; Hersteller: Microsemi; Beschreibung: IGBT 1200V 64A 357W TMAX; vorrätig: 7580 pcs; Herunterladen: APT33GF120B2RDQ2G.pdf; RFQ

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: RJH60D3DPP-M0#T2; Hersteller: Renesas Electronics America; Beschreibung: IGBT 600V 35A 30W TO220FL; vorrätig: 5441 pcs; Herunterladen: RJH60D3DPP-M0#T2.pdf; RFQ

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: IRG7PH37K10D-EPBF; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: IGBT 1200V 45A 216W TO247AD; vorrätig: 4772 pcs; Herunterladen: IRG7PH37K10D-EPBF.pdf; RFQ

: STGF20H60DF; Hersteller: STMicroelectronics; Beschreibung: IGBT 600V 40A 37W TO220FP; vorrätig: 64649 pcs; Herunterladen: STGF20H60DF.pdf; RFQ

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: IXGR40N120A2D1; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT 1200V ISOPLUS247; vorrätig: 7488 pcs; Herunterladen:; RFQ

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: IXXX200N60B3; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT; vorrätig: 4913 pcs; Herunterladen: IXXX200N60B3.pdf; RFQ

: APT30GT60BRDQ2G; Hersteller: Microsemi; Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO247; vorrätig: 28037 pcs; Herunterladen: APT30GT60BRDQ2G.pdf; RFQ

: IXGQ20N120B; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT 1200V 40A 190W TO3P; vorrätig: 20343 pcs; Herunterladen: IXGQ20N120B.pdf; RFQ

: IXYX40N250CHV; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT 2.5KV 70A TO247HV; vorrätig: 2619 pcs; Herunterladen: IXYX40N250CHV.pdf; RFQ

: IRGP4066D-EPBF; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: IGBT 600V 140A 454W TO247AD; vorrätig: 12061 pcs; Herunterladen: IRGP4066D-EPBF.pdf; RFQ

: IXGR24N60B; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT 600V 42A 80W ISOPLUS247; vorrätig: 5062 pcs; Herunterladen:; RFQ

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