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International Rectifier (Infineon Technologies): Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist.
Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller u......Details

IRG7PH35U-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
AIKW20N60CTXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IC DISCRETE 600V TO247-3
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IXYS Corporation: - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs.
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IXGH56N60A3 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 600V 150A 330W TO247
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AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die K......Details

FGL12040WD AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
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FGA180N33ATTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 330V 180A 390W TO3P

STMicroelectronics: - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und strategisc......Details

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STGP20H60DF STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 40A 167W TO220
STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics Beschreibung:IGBT BIPO 650V 80A TO247
STGWA40H65DFB STMicroelectronics Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 80A TO247

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines der gr......Details

RJH60D7ADPK-00#T0 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 90A 300W TO-3P
RJH60F3DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
RJP65T43DPQ-A0#T2 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 60A TO247A

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