2N7000RLRA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7000RLRA
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Datenblätte:	2N7000RLRA.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5272 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5272 pcs

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Spezifikationen von 2N7000RLRA

Artikelnummer	2N7000RLRA	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5272 pcs	Datenblatt	2N7000RLRA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	350mW (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Andere Namen	2N7000RLRAOSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200mA (Ta)

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