2SK3666-3-TB-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2SK3666-3-TB-E
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Datenblätte:	2SK3666-3-TB-E.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	630563 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 630563 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.176

10 pcs: $0.125

100 pcs: $0.082

500 pcs: $0.048

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Spezifikationen von 2SK3666-3-TB-E

Artikelnummer	2SK3666-3-TB-E	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	630563 pcs	Datenblatt	2SK3666-3-TB-E.pdf
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id	180mV @ 1µA	Supplier Device-Gehäuse	3-CP
Serie	-	Resistance - RDS (on)	200 Ohms
Leistung - max	200mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	869-1107-1
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4pF @ 10V
Typ FET	N-Channel	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP	Aktuelle Drain (Id) - Max	10mA
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)	1.2mA @ 10V	Basisteilenummer	2SK3666

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