BSR58LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BSR58LT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Datenblätte:	BSR58LT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4499 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4499 pcs

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Spezifikationen von BSR58LT1G

Artikelnummer	BSR58LT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	JFET N-CH 40V 350MW SOT23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4499 pcs	Datenblatt	BSR58LT1G.pdf
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id	800mV @ 1µA	Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS)	40V
Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)	Serie	-
Resistance - RDS (on)	60 Ohms	Leistung - max	350mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	Typ FET	N-Channel
detaillierte Beschreibung	JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)	8mA @ 15V
Basisteilenummer	BSR58

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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