FQU3N40TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQU3N40TU
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Datenblätte:	1.FQU3N40TU.pdf 2.FQU3N40TU.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5101 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5101 pcs

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Spezifikationen von FQU3N40TU

Artikelnummer	FQU3N40TU	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5101 pcs	Datenblatt	1.FQU3N40TU.pdf 2.FQU3N40TU.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I-PAK
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 30W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	400V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 400V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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