Artikelnummer | H11AA2 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5680 pcs | Datenblatt | H11AA2.pdf |
Spannung - Ausgabe (max) | 30V | Spannung - Isolation | 5300Vrms |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V | VCE Sätttigung (max) | 400mV |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - | Supplier Device-Gehäuse | 6-DIP |
Serie | - | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | - |
Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Ausgabetyp | Transistor with Base | Andere Namen | H11AA2GI H11AA2QT H11AA2QT-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C | Anzahl der Kanäle | 1 |
Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabetyp | AC, DC |
detaillierte Beschreibung | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) | 10% @ 10mA |
Stromübertragungsverhältnis (max) | - | Strom - Ausgang / Kanal | - |
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) | 100mA |
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