NDT02N60ZT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NDT02N60ZT3G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4228 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4228 pcs

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Spezifikationen von NDT02N60ZT3G

Artikelnummer	NDT02N60ZT3G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4228 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-223 (TO-261)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 700mA, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	300mA (Tc)

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