NSVBC114EPDXV6T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NSVBC114EPDXV6T1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
Datenblätte:	NSVBC114EPDXV6T1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	462884 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 462884 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Artikelnummer	NSVBC114EPDXV6T1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN/PNP BIAS SOT563	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	462884 pcs	Datenblatt	NSVBC114EPDXV6T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-563
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	500mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	4 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	35 @ 5mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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