DMG4932LSD-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMG4932LSD-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Datenblätte:	DMG4932LSD-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	269800 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 269800 pcs

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Spezifikationen von DMG4932LSD-13

Artikelnummer	DMG4932LSD-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	269800 pcs	Datenblatt	DMG4932LSD-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 9A, 10V
Leistung - max	1.19W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DMG4932LSD-13DITR DMG4932LSD13
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1932pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.5A 1.19W Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A
Basisteilenummer	DMG4932LSD

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