70T3509MS133BP

IDT (Integrated Device Technology)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	70T3509MS133BP
Hersteller / Marke:	IDT (Integrated Device Technology)
Produktbeschreibung	IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA
Datenblätte:	70T3509MS133BP.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	367 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von 70T3509MS133BP

Artikelnummer	70T3509MS133BP	Hersteller	IDT (Integrated Device Technology)
Beschreibung	IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	367 pcs	Datenblatt	70T3509MS133BP.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	Spannungsversorgung	2.4 V ~ 2.6 V
Technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous	Supplier Device-Gehäuse	256-CABGA (17x17)
Serie	-	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	256-BGA	Andere Namen	IDT70T3509MS133BP IDT70T3509MS133BP-ND
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	4 (72 Hours)	Speichertyp	Volatile
Speichergröße	36Mb (1M x 36)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM	Hersteller Standard Vorlaufzeit	10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	detaillierte Beschreibung	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
Uhrfrequenz	133MHz	Basisteilenummer	IDT70T3509M
Zugriffszeit	4.2ns

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