IRF7464PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF7464PBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Datenblätte:	IRF7464PBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4183 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4183 pcs

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Spezifikationen von IRF7464PBF

Artikelnummer	IRF7464PBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4183 pcs	Datenblatt	IRF7464PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 720mA, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.2A (Ta)

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