TSM2N100CH C5G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TSM2N100CH C5G
Hersteller / Marke:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
Datenblätte:	TSM2N100CH C5G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	138176 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 138176 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.406

10 pcs: $0.359

100 pcs: $0.284

500 pcs: $0.22

1000 pcs: $0.174

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Spezifikationen von TSM2N100CH C5G

Artikelnummer	TSM2N100CH C5G	Hersteller	TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	138176 pcs	Datenblatt	TSM2N100CH C5G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251 (IPAK)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max)	77W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Andere Namen	TSM2N100CH C5G-ND TSM2N100CHC5G
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.85A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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