HN1A01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HN1A01FE-Y,LF
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Datenblätte:	HN1A01FE-Y,LF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	847402 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 847402 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.147

10 pcs: $0.105

25 pcs: $0.081

100 pcs: $0.062

250 pcs: $0.044

500 pcs: $0.035

1000 pcs: $0.027

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Spezifikationen von HN1A01FE-Y,LF

Artikelnummer	HN1A01FE-Y,LF	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	847402 pcs	Datenblatt	HN1A01FE-Y,LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ	2 PNP (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	ES6
Serie	-	Leistung - max	100mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	HN1A01FE-Y(T5LFTCT HN1A01FE-Y(T5LFTCT-ND HN1A01FE-YLF(BCT HN1A01FE-YLF(BCT-ND HN1A01FE-YLFCT	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	16 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	80MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	120 @ 2mA, 6V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	150mA

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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