SiC-Gleichrichter

Schnelle Siliziumkarbid-strukturierte Schottky-Dioden von STMicroelectronics

Durch das Schalten der Siliziumkarbid-strukturierten Schottky-Dioden von STMicroelectronics können Entwickler ein höheres Maß an Effizienz und Leistungsdichte erreichen. Die 650-V- und 1200-V-SiC-Diodenfamilien von ST decken Stromwerte von 2 A bis 40 A ab und umfassen sowohl industrietaugliche als auch automobilqualifizierte AEC-Q101-Geräte für oberflächenmontierte DPAK HV (Hochspannung) und D²PAK oder durch. Loch TO-220AC und TO-247LL (Long-Lead) -Pakete.

Die ST-Reihe von 1200-V-Siliziumkarbid (SiC) -JBS- (Junction Barrier Schottky) -Dioden erfüllt die Anforderungen der Entwickler nach überlegener Effizienz, geringem Gewicht, geringer Größe und verbesserten thermischen Eigenschaften für leistungsorientierte Anwendungen.

Hervorragende Durchlassspannung (niedrige V._F.) und die Robustheit auf dem neuesten Stand der Technik bieten die 1200-V-SiC-Dioden von ST zusätzliche Freiheit, um einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit bei niedrigerer Nennstromstärke und damit geringeren Kosten zu erzielen, während gleichzeitig die Betriebstemperatur gesenkt und die Anwendungslebensdauer verlängert wird. Sie sorgen für eine perfekte Passform in jedem Schaltwandler und Wechselrichter, in dem extreme Leistungsdichte und Effizienz erforderlich sind, z. B. SMPS-, USV-, Solar- und Motorantriebe.

Die 1200-V-SiC-Diodenfamilie von ST deckt Stromwerte von 2 A bis 40 A ab und umfasst sowohl industrietaugliche als auch für die Automobilindustrie geeignete AEC-Q101-Geräte in oberflächenmontiertem DPAK HV (Hochspannung) und D²PAK oder Durchgangsloch TO -220AC- und TO-247LL-Pakete (Long-Lead).

Das 1200 V SiC von ST ermöglicht das Erreichen hoher Standards und eines kleinen Formfaktors.