DGD2104MS8-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DGD2104MS8-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	IC GATE DRVR HV SO8
Datenblätte:	DGD2104MS8-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	99993 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von DGD2104MS8-13

Artikelnummer	DGD2104MS8-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	IC GATE DRVR HV SO8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	99993 pcs	Datenblatt	DGD2104MS8-13.pdf
Spannungsversorgung	10 V ~ 20 V	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	-	Aufstieg / Fallzeit (Typ)	70ns, 35ns
Verpackung	Original-Reel®	Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	DGD2104MS8-13DIDKR	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber	2	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	14 Weeks
Logikspannung - VIL, VIH	0.8V, 2.5V	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	Non-Inverting	High-Side-Spannung - Max (Bootstrap)	600V
Gate-Typ	IGBT, N-Channel MOSFET	Angetriebene Konfiguration	Half-Bridge
detaillierte Beschreibung	Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO	Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink)	290mA, 600mA
Ladestrom	Synchronous

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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