JAN1N6073

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N6073
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Datenblätte:	JAN1N6073.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4826 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4826 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $6.227

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Spezifikationen von JAN1N6073

Artikelnummer	JAN1N6073	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4826 pcs	Datenblatt	JAN1N6073.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	850mA
Spannung - Durchschlag	A-PAK	Serie	Military, MIL-PRF-19500/503
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	A, Axial
Andere Namen	1086-19447 1086-19447-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	30ns
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	JAN1N6073	Expanded Beschreibung	Diode Standard 50V 850mA Through Hole A-PAK
Diodenkonfiguration	1µA @ 50V	Beschreibung	DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2.04V @ 9.4A	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	50V
Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 155°C

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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