JAN1N645-1

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N645-1
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
Datenblätte:	JAN1N645-1.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4197 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4197 pcs

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Spezifikationen von JAN1N645-1

Artikelnummer	JAN1N645-1	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4197 pcs	Datenblatt	JAN1N645-1.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	400mA
Spannung - Durchschlag	DO-35	Serie	Military, MIL-PRF-19500/240
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Andere Namen	1086-15973 1086-15973-MIL Q9150974	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	JAN1N645-1
Expanded Beschreibung	Diode Standard 225V 400mA Through Hole DO-35	Diodenkonfiguration	50nA @ 225V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1V @ 400mA
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	225V	Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 175°C

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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