JAN1N6622U

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N6622U
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5762 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5762 pcs

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Spezifikationen von JAN1N6622U

Artikelnummer	JAN1N6622U	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5762 pcs	Datenblatt
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2A
Spannung - Durchschlag	D-5A	Serie	Military, MIL-PRF-19500/585
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	SQ-MELF, A
Andere Namen	1086-19960 1086-19960-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	30ns
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	JAN1N6622U	Expanded Beschreibung	Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount D-5A
Diodenkonfiguration	500nA @ 600V	Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.4V @ 1.2A	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	600V
Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 150°C

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Nach dem Verkauf
Datenblätte

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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