JANTX1N3766

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANTX1N3766
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Datenblätte:	JANTX1N3766.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4318 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4318 pcs

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Spezifikationen von JANTX1N3766

Artikelnummer	JANTX1N3766	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4318 pcs	Datenblatt	JANTX1N3766.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	35A
Spannung - Durchschlag	DO-5	Serie	Military, MIL-PRF-19500/297
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	DO-203AB, DO-5, Stud
Andere Namen	1086-16813 1086-16813-MIL	Befestigungsart	Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	JANTX1N3766
Expanded Beschreibung	Diode Standard 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5	Diodenkonfiguration	10µA @ 800V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2.3V @ 500A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	800V	Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 175°C

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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