MRF5812R2

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MRF5812R2
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Datenblätte:	MRF5812R2.pdf
Zustand des Lagers	79829 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von MRF5812R2

Artikelnummer	MRF5812R2	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	79829 pcs	Datenblatt	MRF5812R2.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	200mA	Spannung - Durchschlag	8-SO
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	18V	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Widerstand - Base (R1) (Ohm)	5GHz
Leistung - max	1.25W	Polarisation	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	MRF5812R2
Gewinnen	2dB @ 500MHz	Frequenz - Übergang	50 @ 50mA, 5V
Typ FET	15.5dB	Expanded Beschreibung	RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Beschreibung	RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC	Strom - Kollektor (Ic) (max)	NPN

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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