8EWF02STR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	8EWF02STR
Hersteller / Marke:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
Datenblätte:	8EWF02STR.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4616 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4616 pcs

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Spezifikationen von 8EWF02STR

Artikelnummer	8EWF02STR	Hersteller	Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4616 pcs	Datenblatt	8EWF02STR.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	8A
Spannung - Durchschlag	D-PAK (TO-252AA)	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	VS-8EWF02STR VS-8EWF02STR-ND VS8EWF02STR VS8EWF02STR-ND	Betriebstemperatur - Anschluss	140ns
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	8EWF02STR	Expanded Beschreibung	Diode Standard 200V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Diodenkonfiguration	100µA @ 200V	Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.2V @ 8A	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	200V
Kapazität @ Vr, F	-40°C ~ 150°C

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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