8EWS08STR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	8EWS08STR
Hersteller / Marke:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
Datenblätte:	8EWS08STR.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5392 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5392 pcs

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Spezifikationen von 8EWS08STR

Artikelnummer	8EWS08STR	Hersteller	Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5392 pcs	Datenblatt	8EWS08STR.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	8A
Spannung - Durchschlag	D-PAK (TO-252AA)	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen	VS-8EWS08STR VS-8EWS08STR-ND VS8EWS08STR VS8EWS08STR-ND	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	8EWS08STR
Expanded Beschreibung	Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)	Diodenkonfiguration	50µA @ 800V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.1V @ 8A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	800V	Kapazität @ Vr, F	-55°C ~ 150°C

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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