2N6426RLRA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N6426RLRA
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
Datenblätte:	2N6426RLRA.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5317 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5317 pcs

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Spezifikationen von 2N6426RLRA

Artikelnummer	2N6426RLRA	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5317 pcs	Datenblatt	2N6426RLRA.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	40V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 500µA, 500mA
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Leistung - max	625mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30000 @ 100mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA	Basisteilenummer	2N6426

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