FDI8441

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDI8441
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
Datenblätte:	FDI8441.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4503 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4503 pcs

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Spezifikationen von FDI8441

Artikelnummer	FDI8441	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4503 pcs	Datenblatt	FDI8441.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	280nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 26A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	26A (Ta), 80A (Tc)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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