FDME510PZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDME510PZT
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
Datenblätte:	FDME510PZT.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	203526 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 203526 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDME510PZT

Artikelnummer	FDME510PZT	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	203526 pcs	Datenblatt	FDME510PZT.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	MicroFet 1.6x1.6 Thin
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 6A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.1W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-PowerUDFN	Andere Namen	FDME510PZTTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1490pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 6A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Ta)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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