FDMS3602AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS3602AS
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Datenblätte:	FDMS3602AS.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	67101 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67101 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.676

10 pcs: $0.61

100 pcs: $0.49

500 pcs: $0.381

1000 pcs: $0.316

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Spezifikationen von FDMS3602AS

Artikelnummer	FDMS3602AS	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	67101 pcs	Datenblatt	FDMS3602AS.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 15A, 10V
Leistung - max	2.2W, 2.5W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS3602ASCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	39 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 26A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	15A, 26A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
TNT	www.TNT.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.

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