NSB1706DMW5T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NSB1706DMW5T1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Datenblätte:	NSB1706DMW5T1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2335592 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2335592 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.018

6000 pcs: $0.016

15000 pcs: $0.014

30000 pcs: $0.013

75000 pcs: $0.012

150000 pcs: $0.011

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Spezifikationen von NSB1706DMW5T1G

Artikelnummer	NSB1706DMW5T1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2335592 pcs	Datenblatt	NSB1706DMW5T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms	Leistung - max	250mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Andere Namen	NSB1706DMW5T1GOS NSB1706DMW5T1GOS-ND NSB1706DMW5T1GOSTR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Basisteilenummer	NSB1706

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Nach dem Verkauf
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FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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