NTMFS4826NET3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMFS4826NET3G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
Datenblätte:	NTMFS4826NET3G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5466 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5466 pcs

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Spezifikationen von NTMFS4826NET3G

Artikelnummer	NTMFS4826NET3G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5466 pcs	Datenblatt	NTMFS4826NET3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	870mW (Ta), 41.7W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN, 5 Leads	Andere Namen	NTMFS4826NET3G-ND NTMFS4826NET3GOSTR
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 12V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 9.5A (Ta), 66A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.5A (Ta), 66A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLBETRAG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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