NTMFS4926NET1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NTMFS4926NET1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL
Datenblätte:	NTMFS4926NET1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4142 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4142 pcs

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Spezifikationen von NTMFS4926NET1G

Artikelnummer	NTMFS4926NET1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4142 pcs	Datenblatt	NTMFS4926NET1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	920mW (Ta), 21.6W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN, 5 Leads	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1004pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.3nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 9A (Ta), 44A (Tc) 920mW (Ta), 21.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Ta), 44A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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