TN3019A_J05Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TN3019A_J05Z
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 80V 1A TO-226
Datenblätte:	TN3019A_J05Z.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4937 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4937 pcs

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Spezifikationen von TN3019A_J05Z

Artikelnummer	TN3019A_J05Z	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 80V 1A TO-226	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4937 pcs	Datenblatt	TN3019A_J05Z.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-226
Serie	-	Leistung - max	1W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	100MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-226
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 150mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	10nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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