ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ALD212908ASAL
Hersteller / Marke:	Advanced Linear Devices, Inc.
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Datenblätte:	ALD212908ASAL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	24905 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24905 pcs

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Artikelnummer	ALD212908ASAL	Hersteller	Advanced Linear Devices, Inc.
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	24905 pcs	Datenblatt	ALD212908ASAL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	20mV @ 10µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	EPAD®, Zero Threshold™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Leistung - max	500mW	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	8 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	10.6V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80mA

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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