BAY80-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BAY80-TR
Hersteller / Marke:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35
Datenblätte:	BAY80-TR.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5940 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5940 pcs

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Spezifikationen von BAY80-TR

Artikelnummer	BAY80-TR	Hersteller	Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung	DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5940 pcs	Datenblatt	BAY80-TR.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	250mA (DC)
Spannung - Durchschlag	DO-35	Serie	Automotive, AEC-Q101
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	5pF @ 0V, 1MHz	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	50ns	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	BAY80-TR
Expanded Beschreibung	Diode Standard 120V 250mA (DC) Through Hole DO-35	Diodenkonfiguration	100nA @ 120V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.07V @ 150mA
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	120V	Kapazität @ Vr, F	175°C (Max)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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