2N7002-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7002-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Datenblätte:	2N7002-7.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5940 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5940 pcs

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Spezifikationen von 2N7002-7

Artikelnummer	2N7002-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5940 pcs	Datenblatt	2N7002-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Verlustleistung (max)	370mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	2N7002DI 2N7002DITR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	115mA (Ta)

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