2N7002A-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7002A-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23
Datenblätte:	2N7002A-7.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1155037 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von 2N7002A-7

Artikelnummer	2N7002A-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1155037 pcs	Datenblatt	2N7002A-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 115mA, 5V
Verlustleistung (max)	370mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	2N7002A-7DITR 2N7002A7
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	23pF @ 25V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 180mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	180mA (Ta)

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