DI9952T

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DI9952T
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	71547 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71547 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

2500 pcs: $0.497

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Spezifikationen von DI9952T

Artikelnummer	DI9952T	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	71547 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	-	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Leistung - max	2W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	DI9952TR
Betriebstemperatur	-	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A 2W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.9A	Basisteilenummer	DI9952

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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