DMHC4035LSDQ-13

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMHC4035LSDQ-13
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
Datenblätte:	DMHC4035LSDQ-13.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	125421 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125421 pcs

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Spezifikationen von DMHC4035LSDQ-13

Artikelnummer	DMHC4035LSDQ-13	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	125421 pcs	Datenblatt	DMHC4035LSDQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V
Leistung - max	1.5W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Hersteller Standard Vorlaufzeit	28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V	Typ FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 40V 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Ta), 3.7A (Ta)

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DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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