1N8035-GA

GeneSiC Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N8035-GA
Hersteller / Marke:	GeneSiC Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
Datenblätte:	1N8035-GA.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	521 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 521 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $76.859

10 pcs: $73.147

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Spezifikationen von 1N8035-GA

Artikelnummer	1N8035-GA	Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Beschreibung	DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	521 pcs	Datenblatt	1N8035-GA.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 15A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	650V
Supplier Device-Gehäuse	TO-276	Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	0ns
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-276AA
Andere Namen	1242-1122 1N8035GA	Betriebstemperatur - Anschluss	-55°C ~ 250°C
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	18 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Diodentyp	Silicon Carbide Schottky	detaillierte Beschreibung	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 650V	Strom - Richt (Io)	14.6A (DC)
Kapazität @ Vr, F	1107pF @ 1V, 1MHz	Basisteilenummer	1N8035

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