IXDI602SI

IXYS Integrated Circuits Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXDI602SI
Hersteller / Marke:	IXYS Integrated Circuits Division
Produktbeschreibung	2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Datenblätte:	IXDI602SI.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	108776 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IXDI602SI

Artikelnummer	IXDI602SI	Hersteller	IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung	2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	108776 pcs	Datenblatt	IXDI602SI.pdf
Spannungsversorgung	4.5 V ~ 35 V	Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC-EP
Serie	-	Aufstieg / Fallzeit (Typ)	7.5ns, 6.5ns
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Anzahl der Treiber	2
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	7 Weeks	Logikspannung - VIL, VIH	0.8V, 3V
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Inverting
Gate-Typ	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET	Angetriebene Konfiguration	Low-Side
detaillierte Beschreibung	Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP	Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink)	2A, 2A
Ladestrom	Independent

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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