DTB113ESTP

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTB113ESTP
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Datenblätte:	DTB113ESTP.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4290 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4290 pcs

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Spezifikationen von DTB113ESTP

Artikelnummer	DTB113ESTP	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4290 pcs	Datenblatt	DTB113ESTP.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SPT
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	1 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Box (TB)	Verpackung / Gehäuse	SC-72 Formed Leads
Andere Namen	DTB113ESTP-ND DTB113ESTPTB	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	200MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	33 @ 50mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA	Basisteilenummer	DTB113

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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