DTC114TSATP

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC114TSATP
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Datenblätte:	DTC114TSATP.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5125 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5125 pcs

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Spezifikationen von DTC114TSATP

Artikelnummer	DTC114TSATP	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5125 pcs	Datenblatt	DTC114TSATP.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SPT
Serie	-	Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms
Leistung - max	300mW	Verpackung	Tape & Box (TB)
Verpackung / Gehäuse	SC-72 Formed Leads	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 1mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	DTC114

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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