DTC123JSATP

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC123JSATP
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Datenblätte:	DTC123JSATP.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4233 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4233 pcs

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Spezifikationen von DTC123JSATP

Artikelnummer	DTC123JSATP	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4233 pcs	Datenblatt	DTC123JSATP.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SPT
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	2.2 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Box (TB)	Verpackung / Gehäuse	SC-72 Formed Leads
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Basisteilenummer	DTC123

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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