DTD114ESTP

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTD114ESTP
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Datenblätte:	DTD114ESTP.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5414 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5414 pcs

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Spezifikationen von DTD114ESTP

Artikelnummer	DTD114ESTP	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5414 pcs	Datenblatt	DTD114ESTP.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SPT
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Box (TB)	Verpackung / Gehäuse	SC-72 Formed Leads
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	200MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	56 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA
Basisteilenummer	DTD114

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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