EMH61T2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMH61T2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Datenblätte:	1.EMH61T2R.pdf 2.EMH61T2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	846571 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 846571 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.169

10 pcs: $0.122

25 pcs: $0.095

100 pcs: $0.072

250 pcs: $0.051

500 pcs: $0.041

1000 pcs: $0.031

2500 pcs: $0.027

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Spezifikationen von EMH61T2R

Artikelnummer	EMH61T2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	846571 pcs	Datenblatt	1.EMH61T2R.pdf 2.EMH61T2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMH61T2RCT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	35 @ 5mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	50mA

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
UPS	www.UPS.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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