IMB1AT110

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IMB1AT110
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Datenblätte:	IMB1AT110.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	732473 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 732473 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.033

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Spezifikationen von IMB1AT110

Artikelnummer	IMB1AT110	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	732473 pcs	Datenblatt	IMB1AT110.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SMT6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	56 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA
Basisteilenummer	MB1

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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