CSD18511KTT

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD18511KTT
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	GEN1.4 40V-20V
Datenblätte:
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	77847 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von CSD18511KTT

Artikelnummer	CSD18511KTT	Hersteller	N/A
Beschreibung	GEN1.4 40V-20V	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	77847 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	188W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	2 (1 Year)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	35 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5940pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 194A (Ta) 188W (Ta) Surface Mount TO-263AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	194A (Ta)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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