CSD19505KTTT

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD19505KTTT
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	35734 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35734 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von CSD19505KTTT

Artikelnummer	CSD19505KTTT	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	35734 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DDPAK/TO-263-3
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	2 (1 Year)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	35 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7920pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200A (Ta)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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