CSD25485F5T

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Artikelnummer:	CSD25485F5T
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	CSD25485F5T
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Spezifikationen von CSD25485F5T

Artikelnummer	CSD25485F5T	Hersteller	N/A
Beschreibung	CSD25485F5T	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	156537 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA	Vgs (Max)	-12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	3-PICOSTAR
Serie	FemtoFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 900mA, 8V
Verlustleistung (max)	1.4W (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	3-XFDFN	Andere Namen	296-48122-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	35 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	533pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 8V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.3A (Ta)

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(NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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