CSD87503Q3E

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Produktübersicht

Artikelnummer:	CSD87503Q3E
Hersteller / Marke:	N/A
Produktbeschreibung	MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	135852 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 135852 pcs

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Spezifikationen von CSD87503Q3E

Artikelnummer	CSD87503Q3E	Hersteller	N/A
Beschreibung	MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	135852 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-VSON (3.3x3.3)
Serie	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 6A, 10V
Leistung - max	15.6W	Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller Standard Vorlaufzeit	35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 4.5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 10A (Ta) 15.6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta)

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