Micron Technology
| Artikelnummer | EDB4432BBBJ-1D-F-R | Hersteller | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 11826 pcs | Datenblatt | EDB4432BBBJ-1D-F-R.pdf |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - | Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 | Supplier Device-Gehäuse | 134-FBGA (10x11.5) |
| Serie | - | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 134-WFBGA | Andere Namen | EDB4432BBBJ-1D-F-R TR EDB4432BBBJ-1D-F-R TR-ND EDB4432BBBJ-1D-F-RTR |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) | Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 4Gb (128M x 32) | Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | DRAM | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5) | Uhrfrequenz | 533MHz |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
|---|---|---|
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